国聚研发在大容量MLCC技术方面取得了突破

时间:2019-01-05 19:13:39 来源:霍林郭勒农业网 作者:匿名



无源元件制造商国聚最近宣布,该公司在大容量MLCC(多层陶瓷电容器)方面取得了重大技术突破,该公司通过成功开发X5R1210100μF(微法)高容量MLCC建立了该公司的无源元件。该领域的技术领先。根据定义,高容量MLCC是具有大于1微法的电容和小于4微米的介电层厚度的产品。

国菊100μFMLCC突破了介电层厚度和电极层厚度的极限。

国家巨型陶瓷电容器部副总经理胡翔宇表示,100μF大容量MLCC的成功开发是台湾厂商首次成功开发出具有高温稳定性材料的100μF高容量MLCC,并推动了国家巨人走向世界。高容量MLCC的主要供应商。公司MLCC研发技术中心副主任胡庆利博士补充说,X5R1210100μF多层陶瓷电容器采用了多种先进技术,包括纳米粉末涂层,嵌入式电极,精密印刷和低温端电极。通过整合全球巨头研发团队,工业技术研究院材料技术研究所,台湾大学材料研究所的研发资源以及欧洲,日本和日本技术顾问的指导资源,公司拥有在大容量MLCC产品的成功开发中具有前所未有的意义。 。

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在应用方面,100μF高容量MLCC可应用于液晶电视,液晶显示器,电源和许多低功耗手持式消费电子产品。胡翔宇进一步指出,过去100μF高容量电容市场一直以钽电容为主,而X5R1210100μF多层陶瓷电容则具有稳定的温度稳定性。在-55°C至85°C的工作温度范围内,误差值仅为±15%,产量稳定,因此可有效取代市场对钽电容器的需求。该公司的X5R1210100μF电容器预计将在今年第三季度和第四季度之间量产。

在这项研究和开发中,国聚已经能够突破介电层厚度和电极层厚度的限制,并成功引入了介电层小于2微米,电极层厚度小于1微米的高容量MLCC。堆栈编号最多为800.其余层。随着该技术的成功开发,国贸今年的研发重点将继续锁定薄层技术的突破,主要用于开发介电层为1.2微米的高容量产品,包括0201220MF,04021.5MF ,060310ΜF和080517ΜF。胡翔宇还指出,060310MF特别指出,这类元件广泛应用于信息产品,是国居新产品开发的重点。目前,研发工作正在加强,预计今年年底前将供应060310MF电容器。为响应X5R1210100μF高容量层压MLCC的研发,国巨申请中华人民共和国经济部工业局“领先新产品开发指导计划”补贴2200万新台币。中国在2005年。胡庆利指出,该计划分为十个子计划。在该计划实施过程中,国聚通过了各阶段的技术评审,并达到了计划设定的产量目标,并于2006年底实施。根据研发成果,MLCC技术的主要发展方向,如小型化,高电容,高耐压和高温(汽车工业),将继续提出相关补贴的具体计划。国巨目前的三大主要产品——芯片电阻,MLCC和磁性材料均在全球市场取得了优异的市场份额,芯片电阻是世界第一,而另外两款产品则位居世界前三。其中,到今年年底,大容量MLCC产量将达到124亿台,是去年33亿台的3.5倍。

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